경운대학교 반도체 공정 및 소자 설계 시뮬레이터 15 SET 외 1종 구매

공고번호 R26BK01716981-000경운대학교 산학협력단등록 26. 09. 07. 16:27

관심공고

기초금액 공식값 확인지역 공식값 없음면허 공식값 없음상세 조회 캐시 사용

공고 기본정보

공고기관: 경운대학교 산학협력단
수요기관: 경운대학교 산학협력단
계약방식: 제한경쟁
입찰방식: 전자입찰
낙찰방법: 적격심사제-추정가격이 고시금액 미만인 물품 제조 또는 구매입찰
세부분류: -

주요금액 / 투찰참고

나라장터 공식 공개값만 표시하며 확인되지 않은 값은 임의로 추정하지 않습니다.

기초금액90,000,000원

추정가격81,818,182원

배정예산공식값 미공개

투찰하한율86.24500%

예가범위-2% ~ 2%

A값공식값 없음

입찰 일정

공고일: 26. 09. 07. 16:27
입찰개시: 26. 09. 08. 09:00
입찰마감: 26. 09. 15. 12:00
개찰일시: 26. 09. 15. 13:00
개찰장소: 국가종합전자조달시스템(나라장터)
재입찰: N

제한

현장 / 지역: -
참가가능지역: 공식값 없음
면허 / 업종: 공식값 없음
공동수급: (없음)공동수급불허
내역입찰: -
공식 분류: -

담당자 / 문의

담당자: 김동엽
전화: 054-479-1093
이메일: nazics@ikw.ac.kr
참조번호: 산학협력단 입찰공고 제2026-14호

첨부파일

공식 추가정보

구매대상품목

B. 규격 (Specifications) 가. 반도체 공정/소자 시뮬레이터 컨트롤러 1. GPU - 인터페이스 : PCIe4.0x16(at x8) - 스트림 프로세서 : 2,304개 - 메모리 버스 : 96bit이상 - DLSS 기술지원 - Fick의 법칙 기반의 연속 방정식을 풀며, 페어(Pair) 확산 모델과 Fermi 통계 보정을 포함한다. 지원 도펀트는 B, P, As, Sb, In으로 p형 및 n형 모두 해석. 공정 온도는 600°C에서 1200°C이며, N₂, O₂, H₂, Ar 및 혼합 가스 분위기에서의 확산을 지원한다. 시뮬레이션 결과로 1D/2D 농도 프로파일, 접합 깊이(Xj), 시트 저항(Rs)을 추출 가능. - Monte Carlo 이온주입 계산의 병렬 가속이 가능 2. CPU - 6코어 이상 - 최대 부스터 클럭 : 4.4GHz - 방열솔류션 : Wraith Stealth - 포아송 방정식과 전자/정공 연속 방정식(드리프트-확산 모델)을 결합하여 풀며, 2D 및 3D 구조 를 모두 지원한다. 캐리어 통계는 저농도 영역에서 Boltzmann 통계를, 고농도 영역에서 Fermi-Dirac 통계를 사용한다. 이동도 모델은 Lombardi 이동도, Arora 모델, Caughey-Thomas 속 도 포화 모델을 포함한다. 재결합 메커니즘으로는 SRH, Auger, 직접 밴드-밴드 재결합, 계면 재결합을 모두 지원하며, 온도 의존 밴드갭 좁아짐(BGN) 모델도 포함된 3. HMI - 주사율 : 60Hz 이상 - 응답속도 : 4ms(GTG) - DCI-P3 : 102% - Deal-Grove 선형-포물선 모델을 기본, 응력 의존 점성 유동 모델을 추가로 지원한다. Dry O₂, Wet O₂(H₂O), Pyrogenic 방식의 산화를 모두 모사할 수 있어야 한다 - 공정 온도는 700°C에서 1200°C, 압력은 0.1 atm에서 25 atm 범위를 지원한다. 산화 진행 중 불순물의 편석 및 재분포를 자동으로 계산하며, 산화막 두께, Si 소모량, 계면 위치, 응력 분포 를 결과로 출력 가눙 하여야 한다. C. 부속품(Accessories) 1. 전원공급장치 / 전원공급 케이블 1. 출력 컨트롤러 케이블 1. 각 입력장치 포함

수량: 15 set
단가: 2,000,000원
납품기한: 2026-10-01 00:00:00
수요기관: 경운대학교 산학협력단

B. 규격 (Specifications) 1.1. 공정 시뮬레이터 1. 산화 공정 (Oxidation) 산화 공정 시뮬레이션은 Deal-Grove 선형-포물선 모델을 기본으로 하며, 응력 의존 점성 유동 모델을 추가로 지원한다. Dry O₂, Wet O₂(H₂O), Pyrogenic 방식의 산화를 모두 모사할 수 있다. 공정 온도는 700°C에서 1200°C, 압력은 0.1 atm에서 25 atm 범위를 지원한다. 산화 진행 중 불순물의 편석 및 재분포를 자동으로 계산하며, 산화막 두께, Si 소모량, 계면 위치, 응력 분포를 결과로 출력한다. 2.. 확산 공정 (Diffusion) 확산 시뮬레이션은 Fick의 법칙 기반의 연속 방정식을 풀며, 페어(Pair) 확산 모델과 Fermi 통계 보정을 포함한다. 지원 도펀트는 B, P, As, Sb, In으로 p형 및 n형 모두 해석 가능하다. 공정 온도는 600°C에서 1200°C이며, N₂, O₂, H₂, Ar 및 혼합 가스 분위기에서의 확산을 지원한다. 시뮬레이션 결과로 1D/2D 농도 프로파일, 접합 깊이(Xj), 시트 저항(Rs)을 추출한다. 3. 이온주입 공정 (Ion Implantation) 이온주입은 Pearson IV 해석 모델을 기본으로 사용하며, 정밀도가 요구되는 경우 Monte Carlo 모델을 선택할 수 있다. 주입 에너지는 1 keV에서 10 MeV, 도즈는 1×10¹⁰에서 1×10¹⁶ cm⁻² 범위를 지원한다. 틸트 각도는 0°에서 60°까지 설정 가능하며, 채널링 효과는 Dual Pearson 파라미터로 반영한다. 주입 후 발생하는 결함은 +1 모델, {311} 결함, 전위루프 생성 및 소멸 모델로 추적한다. 경정내에서의 이온의 거동에 대한 해석이 가능하다. Monte Carlo 모델을 이용한 시뮬레이션에서 이온주입 중 이온의 모재내의 분포는 3D 그래픽으로 가시화하여 학생들의 교육에 도움을 준다. 4. 식각 공정 (Etching) 식각 공정은 등방성(Isotropic), 이방성(Anisotropic), 반응성 이온 식각(RIE) 방식을 모두 지원한다. 주요 반도체 재료에 대한 식각을 모사하며, 포토레지스트, 산화막, 질화막을 이미지를 이용한 마스크 레이어로 정의할 수 있다. 수직 프로파일, 언더컷, 사면각 등 다양한 식각 형상 제어가 가능하다. 에칭공정은 1차, 2차 까지의 물리적 해석이 가능하며, 시간에 대한 스텝의 변화를 3차원 공간 상에서 분석이 가능하다. 5. 증착 공정 (Deposition) 증착 공정은 CVD(등각), PVD(방향성), ALD(원자층) 방식을 지원한다. 증착 가능한 두께 범위는 0.5 nm에서 수 µm까지 설정 가능하다. 컨포멀(Conformal) 및 비컨포멀 스텝 커버리지 모델을 선택적으로 적용할 수 있다. 시간에 대한 스텝의 변화를 3차원 공간 상에서 분석이 가능하다. 6. 포토리소그래피 (Photolithography) 포토리소그래피 시뮬레이션은 이미지파일을 이용하여 마스크 레이아웃을 정의할 수 있다. 광학 모델은 공중노광(Aerial image) 시뮬레이션을 기반으로 하며, 레지스트 모델로는 Dill ABC 모델과 화학증폭형(CAR) 레지스트 모델을 제공한다. 현상 과정은 셀룰라 오토마타 방식 또는 속도 함수 기반 모델로 해석한다. 전체 3D 해석이 가능하며 광원의 변화에 대한 레지스트 내의 패턴 변화를 관찰할 수 있다.

수량: 15 set
단가: 4,000,000원
납품기한: 2026-10-01 00:00:00
수요기관: 경운대학교 산학협력단

변경이력

공식 변경이력 없음